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拉曼光譜用來(lái)測(cè)試材料應(yīng)力，摻雜濃度和sheet& pattem等。從散射光的能量轉(zhuǎn)移，強(qiáng)度和偏振等方面可以獲取樣品豐富信息,如:結(jié)晶取向，組分，機(jī)械應(yīng)力，摻雜和溫度變化等。

SIRM是非接觸和非破壞型光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，對(duì)體微缺陷，如氧化物和金屬沉淀，位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)，體材料中的滑線和空隙等進(jìn)行測(cè)試。 這個(gè)技術(shù)也可對(duì)GaAs 和 InP等復(fù)合材料進(jìn)行測(cè)試。

LST是檢測(cè)半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具，通過(guò)CCD相機(jī)，對(duì)入射光在樣品邊沿的散射進(jìn)行掃描，獲得體微缺陷分布信息。

LEIModel1605，是非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。無(wú)需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。

LEI88 是針對(duì)科研類客戶開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，具備非接觸快速測(cè)試方塊電阻和電導(dǎo)率功能。

非接觸Hal和方塊電陽(yáng)測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。